据韩联社5月19日报道，三星电子预计将在5月20日向参观其平泽半导体工厂的美国总统拜登介绍其“世界首创的”3 纳米下一代半导体工艺技术。

业内人士19日声称：三星电子有望向拜登介绍“全球首款”基于下一代GAA（Gate-All-Around）技术的3纳米半导体产品原型，该产品预计即将开始量产。