虽然在2021年时，大家就都知道2022年会是3nm芯片的量产之时，因三星、台积电都有过表示，但具体是什么时候，大家都没有细说。

而近日，终于传出了确切消息，那就是三星代工市场战略团队负责人Moonsoo Kang正式对外表示，2022上半年三星第一代的3nm GAA （3GAAE）制程技术将量产，最迟不会超过二季度，而下半年将开始商业化生产。

此外，Moonsoo Kang还表示，三星的3nm芯片，会按照之前的计划，采用GAAFET晶体管技术，而不是继续使用从14nm就开始的FinFET晶体管技术。

而基于GAA技术，三星还将开发出第二代GAA技术，称之为3GAAP（3nm Gate-All-Around Plus），预计于明年，也就是2023年量产。

估计听到这个消息后，台积电还是有点慌的，并不是因为三星要量产3nm芯片了，而主要是因为三星使用了GAA晶体管技术，确实比台积电在3nm时使用的FinFET晶体管更先进。

GAA晶体管能够提供比FinFET 技术更好的静电特性，能够让芯片进一步微缩，也就是晶体管密度更大，另外还能降低栅极电压，让功耗降低。

所以如果三星的GAA技术的3nm芯片进展迅速，良率比较高的话，对于台积电而言，确实是一个非常大的压力，说不定能够从台积电这抢到更多的客户。

而按照三星的说法，3nmGAA芯片，较上一代的5nm的FinFET技术，面积能够缩小35%，性能提高30%，或功耗提高50%。

接下来就让我静态三星新一代的3nm芯片何时量产了，我想台积电也是在拭目以待，看看三星能不能借3nm工艺，威胁到自己的地位，毕竟三星一直想要打败台积电，成全球代工厂商中的冠军的。

当然，台积电和三星在3nm竞争，于我们而言，只是神仙打架，毕竟中芯才14nm，离3nm还好几代，再加上10nm以下的设备受限，可以说离3nm还遥不可及。